全球GaN產業現狀

GaN（氮化鎵）具有擊穿場強高、飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強、化學穩定性好等優異性能，適用於光電子、功率半導體、高頻微波射頻等領域. 實現組件製造。這使得 GaN 成為 LED、變壓器、資料中心、5G 通訊和電動車等應用的理想選擇。

GaN 晶體生長高度依賴 GaN-Si、SiC 和藍寶石以外的基板。本報告分析了GaN產業的詳細趨勢，重點在於GaN功率元件、微波射頻元件和原料。

TRI 致力於廣泛的主題，包括半導體、電信、物聯網、汽車系統、人工智慧、新興技術的應用以及主要區域市場（美國、歐洲、日本、韓國、中國、台灣）的最新趨勢等） 。這是一家研究公司。成立於1996年，2015年併入集邦諮詢旗下。TRI的服務因對新興科技產業和區域發展趨勢的準確理解而受到各類組織的高度評價。

本報告提供了 TRI 對 GaN 產業現狀的看法。

目錄

第1章 GaN電力零組件的目前趨勢

第2章 GaN微波RF零組件的目前趨勢

第3章 GaN基板和磊晶材料的目前趨勢

第4章 TRI的見解

GaN, with its superior properties such as high breakdown field strength, high saturation electron drift velocity, strong radiation resistance, and good chemical stability, enables the manufacture of optoelectronics, power semiconductors, and high-frequency microwave RF components. This makes GaN ideal for applications including LEDs, transformers, data centers, 5G communications, and EVs.

Growing GaN crystal largely depends on substrates other than GaN-Si, SiC, and Sapphire. This report provides a detailed breakdown of the GaN industry, with a focus on GaN power components, microwave RF components, and raw materials.

TABLE OF CONTENTS

1. Current Development of GaN Power Components

2. Current Development of GaN Microwave RF Components

3. Current Development of GaN Substrates and Epitaxial Materials

4. TRI's View