隨著DRAM記憶體的用途增加，大容量且低消費電力產品的需求逐漸增加。在此趨勢當中，目前最受矚目的是利用3D TSV（Si透過層）技術的3次元封裝型DRAM，採用3D TSV的DRAM記憶體晶圓預計在2009年底之前將出貨2萬片，在2010年之後還將擴大生產。
本報告書的內容包括：3次元封裝記憶體市場介紹、成為普及擴大動力的主要用途、進入市場的主要企業、各企業的策略、市場正式形成的時期、景氣衰退的影響、未來的市場規模、促進成長的條件、3DTSV的新用途及對快閃記憶體市場及DRAM市場的影響分析。內容綱要摘記如下：
※本報告書預定在5月底發行。詳情請洽詢本公司。
介紹
- DRAM/SRAM/NOR快閃記憶體/NAND快閃記憶體
- 新一代非揮發性記憶體技術的趨勢
記憶體的用途及市場
- 創造出DRAM/SRAM/NAND/NOR快閃記憶體需求的現在及未來的主要用途
- 桌上型電腦
- 筆記型電腦
- 網路書籍
- 行動網路設備(MID)
- 伺服器
- 資料儲存伺服器
- 攜帶型媒體播放器
- 攜帶型遊戲機
- 記憶卡
- USB棒
- 行動電話
- 遊戲機
- 桌上盒
- 高精細錄影機
- 數位相機
- 單眼相機
- 車載設備
- 基地台
- 行動型導航系統(GPS)
- 數位電視
- 工作站
- 記憶體昇級
- 硬體
- 印表機
- 類比電視
- DVD播放器
- 高性能運算系統
- 自動測試設備
記憶體封裝及集積化的趨勢
- 目前世代的架構及記憶體晶圓的生產量分析
- 單一晶圓及積層封裝
3次元封裝技術對記憶體市場產生的影響
- 採用3次元封裝技術的記憶體的用途及促進市場成長因素
- 「內嵌式3D-SOC記憶體」、「SiP的3次元積層記憶體」
- 「3次元晶片積層化封裝」、「電路傳達3次元封裝」、「集積3次元封裝」
- MLC及SLC快閃記憶體架構對3D TSV記憶體普及產生的影響
- 因應3D TSV記憶體需要的矽薄型配線電路板
- TSV製造成本相關課題
- 記憶體3次元封裝相關整體藍圖（2008年至2015年）
- 3次元整合技術對DRAM/SRAM/NAND/NOR快閃記憶體市場產生的影響
- DDR3/DDR4/無線應用用處理器/無線基頻-DSP/SSD/顯示記憶體/微卡/內嵌型及快取CPU-GPU/FPGA
各企業的3次元封裝記憶體策略
- 供應鏈分析：記憶體工廠/CMOS晶圓廠/半導體組裝檢查委外服務（OSAT）封裝公司/半導體製造商/無晶圓廠製造商/積體電路製造商的動向
- IC系統3次元封裝的基礎環境建設及與前競爭企業的合作
