市場調查報告書 - 77530

針對氮化鎵(GaN)設備的電路板:功能比較及市場評價(2009年)

Substrates for GaN-Based Devices: Performance Comparisons and Market Assessment - 2009

出版商 Strategies Unlimited
出版日期 2009年05月11日 內容資訊 英文 253 Pages
價格
針對氮化鎵(GaN)設備的電路板:功能比較及市場評價(2009年) Substrates for GaN-Based Devices: Performance Comparisons and Market Assessment - 2009
出版日期: 2009年05月11日 內容資訊: 英文 253 Pages
簡介

本報告書內容包括:藍寶石、碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、AIN、GaN-on-Si電路板的研發課題及技術開發動向、相關團體的資訊等。內容綱要摘記如下:

第1章 實施概要

  • 介紹
  • 技術摘要
  • 主要應用・設備種類(GaN相關)
  • 供應及開發電路板相關主要企業、研究機構、大學、政府機關
  • 市場預測(2009年至2013年)
  • 摘要及結論
  • 關於本報告書

第2章 電路板技術狀況

  • 影響電路板選擇的因素(藍寶石・SiC・GaN・AIN・Si)
  • 電路板材料的設備性能比較
  • 電路板材料摘要
  • 結晶成長
  • 化合物電路板
  • 無極性電路板
  • 鑽石電路板
  • 電路板材料的基本特色
  • 優點圖表
  • 電路板材料功能及可信度比較

第3章 GaN設備的主要應用

第4章 電路板製造・開發相關機構索引及介紹

  • 企業
    • 藍寶石
    • SiC
    • GaN
    • AIN
    • GaN-on-Si
  • 研究機構
    • SiC
    • GaN
    • AIN
    • GaN-on-Si
  • 支援Ⅲ氮化物・SiC電路板相關活動的政府機關及研究中心
    • 北美
    • 亞洲
    • 歐洲
    • 澳洲
  • 供應電路板或從事開發活動的機構介紹
    • 美國
      • II-VI Incorporated
      • Cree, Inc.
      • Crystal IS, Inc.
      • DARPA/MTO
      • HexaTech, Inc.
      • HRL Laboratories, LLC
      • Kyma Technologies, Inc.
      • Nitronex Corporation
      • North Carolina State University
      • ONR
      • Oxford Instruments/Technologies and Devices International, Inc.
      • Rubicon Technology
      • UCSB
    • 法國
      • Compagnie de Saint-Gobain
    • 德國
      • Fraunhofer IAF
    • 波蘭
      • TopGaN Ltd.
    • 俄羅斯
      • Nitride Crystals Group
    • 日本
      • Eudyna Devices Inc
      • KYOSERA
      • 三菱化學
      • 並木精密寶石
      • 日亞化學工業
      • 沖電気工業
      • Sanken電氣
      • 信光社
      • 住友電氣工業
      • 豐田中央研究所

第5章 市場預測

  • 利用GaN的設備
  • 電路板
  • 替代電路板的價格比較

圖表

本網頁內容可能與最新版本有所差異。詳細情況請與我們聯繫。

目錄

Table of Contents

1. EXECUTIVE SUMMARY

  • 1.1 Introduction
    • 1.1.1 Report Objectives
  • 1.2 Technology Summary
    • 1.2.1 Driving Forces for Change and Acceptance of Alternative Substrates
    • 1.2.2 Crystal Growth Summary
      • 1.2.2.1 Bulk Crystal Growth (GaN)
      • 1.2.2.2 Deposited Bulk Crystal Growth
      • 1.2.2.3 AlN True Bulk Crystal Growth
      • 1.2.2.4 SiC Bulk Crystal Growth
      • 1.2.2.5 Sapphire Bulk Crystal Growth
      • 1.2.2.6 Silicon Bulk Crystal Growth
    • 1.2.3 Summary of Device Performance Results as a Function of Substrate Type
  • 1.3 Major Applications/Device Types (GaN-Related)
  • 1.4 Companies and Universities/Research Centers Involved In Substrate Supply and Development
  • 1.5 Market Forecast Summary
    • 1.5.1 Device Market Forecasts
    • 1.5.2 Substrate Market Forecasts
  • 1.6 Summary and Conclusions
  • 1.7 The Report

2. SUBSTRATE TECHNOLOGY STATUS UPDATE

  • 2.1 Driving Forces for Substrate Choices (Sapphire, SiC, GaN, AlN, and Si)
  • 2.2 Comparisons of Device Performance as a Function of Substrate Material
  • 2.3 Summary of Substrate Materials with Respect to Appropriate Products and Applications
  • 2.4 Crystal Growth
    • 2.4.1 Bulk Sapphire Crystal Growth
    • 2.4.2 SiC Bulk Crystal Growth
    • 2.4.3 Bulk Growth of SiC (Summary)
    • 2.4.4 GaN Crystal Growth
      • 2.4.4.1 GaN Bulk Crystal Growth
      • 2.4.4.2 Deposited GaN Substrates
    • 2.4.5 AlN Crystal Growth
      • 2.4.5.1 Sublimation-Recondensation
      • 2.4.5.2 Ammonothermal Synthesis of AlN Crystals
      • 2.4.5.3 PVT Seeded Growth - NCSU
      • 2.4.5.4 HexaTech
      • 2.4.5.5 Modified Physical Vapor Transport (PVT)
      • 2.4.5.6 Major Driving Forces for the Selection of AlN vs. GaN Substrates
    • 2.4.6 Si Substrates
      • 2.4.6.1 Bulk Si Crystal Growth
  • 2.5 Composite Substrates (SopSiC and SiCopSiC)
  • 2.6 Nonpolar Substrates
    • 2.6.1 Nonpolar Definitions
    • 2.6.2 Nonpolar Development
    • 2.6.3 Green Semipolar LEDs Grown by MOCVD on a Semipolar GaN Template
    • 2.6.4 Nonpolar Green LDs for Laser TV
    • 2.6.5 Control of Polarity of GaN Films on c-Plane Sapphire
    • 2.6.6 A Comparison of Performance, Morphology, and Defect Density of Nonpolar a-Plane- and m-Plane-Based LEDs
  • 2.7 Diamond Substrates
  • 2.8 Basic Substrate Materials Properties
    • 2.8.1 Crystal Structure
    • 2.8.2 Bandgap
    • 2.8.3 Electron Saturated Drift Velocity
    • 2.8.4 Breakdown Electric Field
    • 2.8.5 Dielectric Constant
    • 2.8.6 Thermal Conductivity
    • 2.8.7 Coefficient of Thermal Expansion (CTE)
    • 2.8.8 Lattice Mismatch with Deposited GaN Films
  • 2.9 Figures of Merit
  • 2.10 Performance and Reliability Comparisons as a Function of Substrate Material
    • 2.10.1 Performance Comparisons - Substrates and Other Variables
    • 2.10.2 Historical (Prior to 2008)
    • 2.10.3 Status Update (2008-2009)

3. MAJOR APPLICATIONS OF GaN DEVICES

4. DIRECTORY AND PROFILES OF ORGANIZATIONS ACTIVE IN SUBSTRATE PRODUCTION AND DEVELOPMENT

  • 4.1 Companies Active in Substrate Production and Development
    • 4.1.1 Sapphire
    • 4.1.2 SiC
    • 4.1.3 GaN
    • 4.1.4 AlN
    • 4.1.5 GaN-on-Si
    • 4.1.6 Silicon
  • 4.2 Research Centers and Universities Active in Substrate Development
    • 4.2.1 SiC
    • 4.2.2 GaN
    • 4.2.3 AlN
    • 4.2.4 GaN-on-Si
  • 4.3 Government Agencies Supporting III-Nitride Activity, Including Bulk and Deposited Crystal Growth
    • 4.3.1 North America
      • 4.3.1.1 Canada
      • 4.3.1.2 Mexico
      • 4.3.1.3 U.S.
    • 4.3.2 Asia
      • 4.3.2.1 Japan
      • 4.3.2.2 People' s Republic of China
      • 4.3.2.3 Singapore
      • 4.3.2.4 South Korea
      • 4.3.2.5 Taiwan
    • 4.3.3 Europe
      • 4.3.3.1 Belarus
      • 4.3.3.2 France
      • 4.3.3.3 Germany
      • 4.3.3.4 Italy
      • 4.3.3.5 Lithuania
      • 4.3.3.6 The Netherlands
      • 4.3.3.7 Poland
      • 4.3.3.8 Russia
      • 4.3.3.9 Spain
      • 4.3.3.10 Sweden
      • 4.3.3.11 Switzerland
      • 4.3.3.12 United Kingdom
    • 4.3.4 Australia
  • 4.4 Mini-Profiles of Representative Organizations Supplying Substrates or Active in their Development
    • 4.4.1 U.S.
    • 4.4.2 France
    • 4.4.3 Germany
    • 4.4.4 Poland
    • 4.4.5 Russia
    • 4.4.6 Japan

5. MARKET FORECASTS

  • 5.1 GaN-Based Device Market Forecasts
    • 5.1.1 Optoelectronic Devices
      • 5.1.1.1 High-Brightness LEDs
      • 5.1.1.2 Laser Diodes
    • 5.1.2 Electronic Devices
  • 5.2 Substrate Market Forecasts
    • 5.2.1 Sapphire
    • 5.2.2 SiC Substrates
      • 5.2.2.1 SiC Market Forecast Assumptions
    • 5.2.3 GaN Substrates
      • 5.2.3.1 GaN Substrate Market Forecasts
    • 5.2.4 AlN Substrates
      • 5.2.4.1 AlN Substrate Market Forecasts
    • 5.2.5 Silicon Substrates

BIBLIOGRAPHY

本網頁內容可能與最新版本有所差異。詳細情況請與我們聯繫。

針對氮化鎵(GaN)設備的電路板:功能比較及市場評價(2009年)是由出版商Strategies Unlimited在2009年05月11日所出版的。這份市場調查報告書包含253 Pages 價格從美金3450起跳。

Back to Top
;