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市場調查報告書

GaN為基礎的200v功率電晶體EPC2010:逆向成本分析

EPC2010 GaN 200V power transistor Reverse Costing Analysis

出版商 System Plus Consulting
出版日期 2011年12月 商品編碼 225969
內容資訊 英文  
價格
US $ 3630 PDF by E-mail (Single User License)
US $ 4410 PDF by E-mail (Site License)
US $ 5320 PDF by E-mail (Corporate License)


GaN為基礎的200v功率電晶體EPC2010:逆向成本分析 是由出版商System Plus Consulting在2011年12月所出版的。 這份英文市場調查報告書價格從美金3630起跳。

簡介

本報告提供Efficient Power Conversion(EPC)所開發的氮化鎵(GaN)為基礎的新一代功率電晶體EPC2010詳細分析,詳細的照片,材料分析,製造流程,經濟方面周密的分析,製造成本的詳細內容,銷售價格的估計等,GaN電晶體製造流程的變化相關檢討,為您概述為以下內容。

第1章 概要/簡介

  • 摘要整理

第2章 企業簡介

  • 逆向成本分析的方法
  • EPC的企業簡介
  • 產品的檢驗

第3章 物理分析

  • 電晶體的特性和標註
  • 接墊
  • 凸塊
  • 設備的尺寸
  • 切點
  • 斷面分析
  • 後端流程
  • 前端流程
  • 閘極
  • GaN磊晶技術
  • 過程參數的摘要
  • 整體概述

第4章 製造流程

  • Si基板上GaN磊晶層成長的操作流程
  • 電晶體操作流程
  • 凸塊功能操作流程
  • 晶圓製造裝置的說明

第5章 成本分析

  • 經濟分析主要的階段
  • 磊晶法的成本
  • 晶圓的成本
  • 階段/設備/消耗品的詳細內容
  • 供應鏈分析
  • 檢測器的成本
  • 凸塊功能,切割,最後檢驗的成本
  • 零件的製造原價
  • 產量的整體概述

第6章 製造商估計價格分析

  • 製造商方面的報酬率
  • 製造商預算價格

第7章 結論

目錄

Abstract

Physical Analysis of the Device Step by Step Reconstruction of the Process Flow Cost of Manufacturing & Estimation of Selling Price

System Plus Consulting is pleased to publish a reverse costing report on the new generation of GaN power transistors from EFFICIENT POWER CONVERSION Corp. Discover the change in the GaN transistor process.

Based on a complete teardown process, the report provides an estimation of the production cost as well as the selling price of the EPC2010 device, a 200V, 12A, 25mOhm transistor.

This report provides a reverse costing of the POWER TRANSISTOR with:

  • Detailed photos
  • Material analysis
  • Manufacturing Process Flow
  • In-depth economical analysis
  • Manufacturing cost breakdown
  • Selling price estimation

Table of Contents

1. Overview / Introduction

  • Executive Summary

2. Company Profile

  • Reverse Costing Methodology 2. Company Profil
  • EPC Company Profile
  • Product Identification 3. Physical Analysis

3. Physical Analysis

  • Transistor characteristics & markings
  • Pads
  • Bumps
  • Devices Dimensions
  • Contacts
  • Cross section analysis
  • Back end process
  • Front end process
  • Gate
  • GaN Epitaxy
  • Summary of process parameters
  • Synthesis

4. Manufacturing Process Flow

  • GaN-Si Epitaxy process flow
  • Transistor process flow
  • Bumps process flow
  • Description of the Wafer Fabrication Unit

5. Cost Analysis

  • Main steps of economic analysis
  • Epitaxy Cost
  • Wafer Cost
  • Breakdown per Step / Equipment / Consumable
  • Supply Chain Analysis
  • Probe Test Cost
  • Bumps, Dicing and Final Test Cost
  • Component Manufacturing Cost
  • Yields synthesis

6. Estimated Manufacturer Price Analysis

  • Manufacturer ratios
  • Estimated manufacturer Price

7. Conclusion

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