主要NAND型快閃記憶體設計的智慧財產權

本報告書內容包括：NAND型快閃記憶體的感應架構、電源電壓的雜訊補償、可編程演算法等相關主要智慧財產權調查分析、多重NAND型快閃記憶體的課題等。內容綱要摘記如下：

• 調查方法
• 多重NAND型快閃記憶體的課題
• 主要NAND型快閃記憶體的智慧財產權
  • 多重記憶體的感應架構
  • 電源電壓的雜訊補償
  • 粗微動程式
  • 循頁編程
  • 降低浮停閘間的雜訊耦合及對背景模式的依賴
  • 改善感應及分頁負載量
  • 負的閾値感應
  • 程式干擾
  • 溫度補償
  • 高電壓開關
  • 充電幫浦
  • 符號化機制及錯誤訂正編碼
• 參考資料
• 著者介紹
• 圖表

專利所有權者

• Hynix
• Micron
• Samsung
• SanDisk
• STMicroelectronics
• 東芝