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市場調查報告書

相變化記憶體(PCM:Phase Change Memory)的新階段

Phase Change Memory Enters a New Phase

出版商 Forward Insights
出版日期 2008年07月 商品編碼 70198
內容資訊 英文 80 Pages
價格
本報告書已不再販售

本報告已在2009年12月16日停止出版。

更改為出版

Phase Change Memory Enters a New Phase 2nd Edition
出版日期 : 2009年10月
商品編碼: 100444

簡介

本報告書內容包括:相變化記憶體(PCM)及傳統的半導體記憶體(SRAM・DRAM・NOR型閃碟・NAND型閃碟等)的比較分析、主要銷售企業發展PCM的行動、今後的技術藍圖、2015年之前的市場預測・價格預測等。內容綱要摘記如下:

實施概要

記憶體概要

  • 介紹
  • 記憶體技術層次
  • SRAM
  • DRAM
  • NOR型閃碟
  • NROM
  • NAND型閃碟

PCM(相變化記憶體)

  • 介紹
  • 相變化材料
  • 記憶體儲存單元的概念
  • 基本操作
  • 記憶體儲存單元的變化
  • 選擇設備
  • PCM的特性
  • 多重儲存單元PCM
  • 設備陳列方式
  • PCM的可信度
  • 成本因素
    • 晶圓尺寸
    • 製程的複雜性
  • 技術規模
    • 規模參數
    • 藍圖

PCM的開發狀況

  • PCM開發狀況
  • ATMI, Inc.
  • BAE Systems
  • CAMELS
  • Elpida
  • Hynix Semiconductor
  • IBM
  • IMEC
  • ITRI
  • Macronix International
  • Nanochip
  • Numonyx (Intel/ST)
  • NXP Semiconductors
  • Ovonyx
  • Qimonda AG
  • Renesas Technology
  • Samsung Electronics
  • STMicroelectronics
  • ULVAC

市場預測

  • 應用
  • 市場

參考資料

圖表

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