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市場調查報告書
RF功率半導體：安裝矽・氮化鎵・砷化鎵・碳化矽的高功率・高頻率裝置
RF Power Semiconductors - Silicon, Gallium Nitride, Gallium Arsenide, and Silicon Carbide High-Power RF Devices
| 出版商 |
ABI Research |
| 出版日期 |
2011年12月 |
商品編碼 |
210087 |
| 內容資訊 |
英文 58 Pages |
| 價格 |
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RF功率半導體：安裝矽・氮化鎵・砷化鎵・碳化矽的高功率・高頻率裝置 是由出版商ABI Research在2011年12月所出版的。
這份英文市場調查報告書包含58 Pages。
本報告，分析RF功率半導體（輸出5瓦以上、動作頻率3.8GHz以下）全球市場的最新技術・市場動向，彙整安裝各種材料・技術的裝置技術動向、部門別的市場動向與今後預測、主要企業・技術的市佔率、主要企業的檔案資料等情報，由下列摘要形式闡述。
第1章 報告摘要
- RF功率：無線通訊的促進因素
- 將來展望：歷史會重演
- 技術促進因素
- 矽(Si)
- 碳化矽(SiC)
- 砷化鎵(GaAs)
- 氮化鎵
- RF功率半導體裝置的安裝
- RF功率半導體的市場與預測
第2章 RF功率半導體裝置的技術影響
- RF功率半導體裝置的導入
- 裝置技術
- 矽雙極與矽FET
- 碳化矽(SiC)裝置
- 砷化鎵(GaAs)裝置
- 氮化鎵(GaN)裝置
- RF功率裝置的安裝
- 氧化鈹(BeO)與氮化鋁(AlN)的安裝
- 塑膠的安裝
- 最新的金屬化合物的安裝
第3章 RF功率半導體裝置的市場
- 市場概況
- 預測方式
- 不同舊版的變化
- 無線基礎建設
- 軍事
- 產業・化學・醫療(ISM)
- 廣播
- 民間用Avionics（航空電子學）與航空交通管制
- 行動電話以外的通訊方式(Non-Cellular Communications)
- RF功率半導體的市場預測：概要
- RF功率半導體裝置的市佔率計量
- 結論
第4章 企業檔案資料
- Andrew (CommScope Corp)
- Beam Power Technology
- Cree Semiconductor
- Ericsson
- Freescale Semiconductor
- Harris Corp
- HVVi Semiconductor Inc
- Infineon Technologies
- Integra Technologies
- M/A-Com PHO
- Microsemi Corp
- 三菱電機
- Nitronex Corp
- Nujira Ltd
- NXP Semiconductors
- Powerwave Technologies
- RFMD
- Rockwell Collins
- STMicroelectronics
- 住友電工DEVICE INNOVATIONS, INC(SEDI)
- Toshiba Corp
- TriQuint Semiconductor
- TT Electronics Semelab Limited
第5章 企業連絡一覽
第6章 省略集
圖表一覽
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