本報告書內容包括：應變矽技術的全球發展分析、影響技術利用的因素、應用情境、主要發展等。內容綱要摘記如下：
第1章 實施概要
- 調查範圍及調查方法
- 調查範圍
- 調查方法
- 應變矽技術概要及主要研究成果
- 應變矽技術概要
- 主要研究成果
第2章 應變矽－技術評價及應用
- 技術評價
- 應變矽技術發展
- 針對應變矽的發展策略
- 技術發展情境
- SOI及應變SOI
- 應用情境
第3章 技術利用因素分析
- 影響技術利用的因素－刺激因素及阻礙因素
- 促進成長因素
- 產業課題
- 利益及限制－技術需求分析
- 利益及限制
- 技術需求分析
第4章 情境及影響解析
- 情境分析
- 產業動向－針對變化中情境及發展的行動
- IP／專利分析
- 影響解析
- 成功因素與技術之間的差距
- 分析師分析－應變矽技術的發展
第5章 變化中的情境－矽領域中的主要發展
- 應變矽－設計及製造的發展－全球
- 應變矽流程控制系統（英國）
- SOI層複寫的新技術（美國）
- 應變矽設備設計用EDA工具（英國）
- 應變矽－設備水準的發展－世界
- SOI應變測量用奈米電子解析技術（日本）
- 利用應變矽的電力光學調變器（丹麥）
- 應變半導體薄膜（美國）
- 薄膜缺陷檢測用X光測量學（美國）
- 新一代MOSFET用應變化合物半導體技術（美國）
第6章 主要專利及主要企業・研究機構
- 應變矽領域的主要專利
- 北美的專利
- 其他地區的專利
- 主要企業・研究機構
- 企業
- 研究機構
