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日商環球訊息有限公司
電子零件/半導體
Printed Electronics Asia 2009
- Japanese Korean English
Report
[英文調查報告書]

Intel的NAND型及NOR型快閃記憶體策略

Intel and Flash: Playing in Both NAND and NOR

商品編碼 : 50835
出版日期 : 2007/03

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此出版品為英文撰寫

根據In-Stat的5年收益預測,NAND型快閃記憶體市場預計正以CAGR30%,NOR型快閃記憶體市場以CAGR3%的速度成長。

專門於半導體及先進通訊機器和服務相關市場調查、分析及預測的 In-Stat (USA),針對Intel(英特爾)公司的NAND型及NOR型快閃記憶體策略進行調查,並出版報告書 "Intel and Flash: Playing in Both NAND and NOR" 。

本報告書內容包括:全球快閃記憶體市場及Intel的策略介紹、Intel策略的合理性、市場・對其他企業的影響力、 NAND型・NOR型快閃記憶體市場的收益預測、Intel的製造容量、市場有率、競爭環境、價格趨勢等。內容綱要摘記如下:

實施概要

序章

Intel的策略:NOR型快閃記憶體

  • 2006年的重組
  • 2003年的策略改變
    • 策略改變的理由
    • 對其他企業的影響
    • 未來成果
  • NOR型的產品線・藍圖
    • 刺激產品結構發展的要素
    • Spansion公司的MirrorBit造成的威脅
  • PRAM
  • 製造容量
    • 工廠整合的合理性
    • 策略計畫的失敗
  • 價格分析
  • 競爭情勢・市場中的定位
  • 市場有率 vs 獲益性
  • 市場預測
  • 產業發展前景及對Intel的影響

IM Flash 的技術

  • IM Flash的技術:概要
  • 商業結構
  • IP相關課題
  • 針對NAND針(Pin)配置標準化的行動方案
  • 製造容量
  • NAND型的價格下滑
  • 競爭情勢・市場中的定位
  • NAND型的銷售企業分析
    • Samsung
    • 東芝
    • SanDisk
    • Hynix
  • 市場預測
    • 今後的市場刺激因素

總論

  • 對Intel的期望
  • 另外成立事業部或公司(Spin-off)的選擇
  • 市場機會與競爭上的威脅

圖表

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此出版品為英文撰寫

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[英文調查報告書]
Intel的NAND型及NOR型快閃記憶體策略
Intel and Flash: Playing in Both NAND and NOR

出版商 : In-Stat In-Stat
代理商 : Global Information, Inc. Global Information, Inc.

商品編碼 : 50835
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